Transistors. Page 67 sur 114. Avtronic

Transistor FQP65N06

7.95€ TTC

13 En stock

Transistor FQP65N06 N-MOS 60V 65A/260Ap. 150W 0.012R(46.1A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46.1 A. Rds (Ohms): 0.012.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP7N80

8.96€ TTC

104 En stock

Transistor FQP7N80 N-MOS 800V 6.6A/26.4Ap. 167W 1.2R(4.2A) Tf 55nS. DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 19pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor FQP7N80C

7.11€ TTC

63 En stock

Transistor FQP7N80C N-MOS 800V 6.6A/26.4Ap. 167W 1.57R(4.2A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 27nC. Low Crss 10pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP85N06

10.19€ TTC

27 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 85A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 85A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.008 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP8N60C

7.00€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQP8N60C N-MOS 600V 7.5A/30Ap. 147W 1R(4.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 28nC. Low Crss 12pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP9N90C

8.79€ TTC

76 En stock

Transistor FQP9N90C N-MOS 900V 8A/32Ap. 205W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 45nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQPF10N20C

3.58€ TTC

273 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 9.5A/38Ap 38W. Résistance passante RDSon : 0.36 Ohms (6A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF10N60C

9.18€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQPF10N60C N-MOS 600V 9.5A/38Ap 50W 0.6R(5.7A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 44nC. Low Crss 18pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQPF11N50CF

10.08€ TTC

53 En stock

Transistor MOSFET canal-N 500V 11A/44Ap 48W. Résistance passante RDSon : 0.48 Ohms (7A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF12N60C

10.30€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQPF12N60C N-MOS 600V 12A/48Ap 51W 0.53R(7.4A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 48nC. Low Crss 21pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF19N20

6.72€ TTC

21 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 11.8A. Boîtier: TO-220F isolé. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 11.8A. Puissance: 50W. Résistance Rds: 0.12 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF19N20C

7.62€ TTC

97 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 19A. Boîtier: TO-220F isolé. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 43W. Résistance Rds: 0.14 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF20N06L

5.26€ TTC

160 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 15.7A/62.8Ap 30W 0.042R (11.1A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF3N80C

5.38€ TTC

64 En stock

Transistor FQPF3N80C N-MOS 800V 3A/12Ap. 39W 4R(1.9A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 13nC. Low Crss 5.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF4N90C

5.26€ TTC

38 En stock

Transistor FQPF4N90C N-MOS 900V 4A/16Ap. 47W 2.7R(2.3A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 17nC. Low Crss 5.6pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF5N50C

3.53€ TTC

60 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 5A/20Ap. 38W 1.14R (2.9A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQPF5N50CYDTU. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 5A. Puissance: 38 W. Id(T:100): 2.9A. Id(imp): 20 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs:

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF5N60C

4.03€ TTC

296 En stock

Transistor FQPF5N60C N-MOS 600V 4.5A/18Ap. 33W 2R(2.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 15nC. Low Crss 6.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF7N80C

9.13€ TTC

71 En stock

Transistor FQPF7N80C N-MOS 800V 6.6A Idm26.4A 56W 1.57R(4.2A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 10pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF85N06

9.13€ TTC

23 En stock

Transistor MOSFET canal N 60V 53A/212Ap 62W 0.008R (37.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 53A. Puissance: 62 W. Id(T:100): 37.5A. Id(imp): 212 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Rds(on

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF8N60C

6.33€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQPF8N60C N-MOS 600V 7.5A/30Ap 48W 1R(4.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 28nC. Low Crss 12pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF8N80C

7.50€ TTC

647 En stock

Transistor FQPF8N80C N-MOS 800V 8A/32Ap. 59W 1.29R(5.1A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 35nC. Low Crss 13pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor FQP65N06

Transistor FQP65N06 N-MOS 60V 65A/260Ap. 150W 0.012R(46.1A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46.1 A. Rds (Ohms): 0.012.

Transistor FQP7N80

Transistor FQP7N80 N-MOS 800V 6.6A/26.4Ap. 167W 1.2R(4.2A) Tf 55nS. DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 19pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A.

Transistor FQP7N80C

Transistor FQP7N80C N-MOS 800V 6.6A/26.4Ap. 167W 1.57R(4.2A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 27nC. Low Crss 10pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A.

Transistor FQP85N06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 85A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 85A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.008 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor FQP8N60C

Transistor FQP8N60C N-MOS 600V 7.5A/30Ap. 147W 1R(4.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 28nC. Low Crss 12pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A.

Transistor FQP9N90C

Transistor FQP9N90C N-MOS 900V 8A/32Ap. 205W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 45nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Transistor MOSFET canal-N FQPF10N20C

Transistor MOSFET canal-N 200V 9.5A/38Ap 38W. Résistance passante RDSon : 0.36 Ohms (6A)

Transistor FQPF10N60C

Transistor FQPF10N60C N-MOS 600V 9.5A/38Ap 50W 0.6R(5.7A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 44nC. Low Crss 18pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.5 A.

Transistor MOSFET canal-N FQPF11N50CF

Transistor MOSFET canal-N 500V 11A/44Ap 48W. Résistance passante RDSon : 0.48 Ohms (7A)

Transistor FQPF12N60C

Transistor FQPF12N60C N-MOS 600V 12A/48Ap 51W 0.53R(7.4A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 48nC. Low Crss 21pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A.

Transistor FQPF19N20

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 11.8A. Boîtier: TO-220F isolé. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 11.8A. Puissance: 50W. Résistance Rds: 0.12 Ohms.

Transistor FQPF19N20C

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 19A. Boîtier: TO-220F isolé. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 43W. Résistance Rds: 0.14 Ohms.

Transistor FQPF20N06L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 15.7A/62.8Ap 30W 0.042R (11.1A)

Transistor FQPF3N80C

Transistor FQPF3N80C N-MOS 800V 3A/12Ap. 39W 4R(1.9A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 13nC. Low Crss 5.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A.

Transistor FQPF4N90C

Transistor FQPF4N90C N-MOS 900V 4A/16Ap. 47W 2.7R(2.3A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 17nC. Low Crss 5.6pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A.

Transistor FQPF5N50C

Transistor FQPF5N60C

Transistor FQPF5N60C N-MOS 600V 4.5A/18Ap. 33W 2R(2.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 15nC. Low Crss 6.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A.

Transistor FQPF7N80C

Transistor FQPF7N80C N-MOS 800V 6.6A Idm26.4A 56W 1.57R(4.2A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 10pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A

Transistor FQPF85N06

Transistor FQPF8N60C

Transistor FQPF8N60C N-MOS 600V 7.5A/30Ap 48W 1R(4.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 28nC. Low Crss 12pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A.

Transistor FQPF8N80C

Transistor FQPF8N80C N-MOS 800V 8A/32Ap. 59W 1.29R(5.1A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 35nC. Low Crss 13pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

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